Hersteller Produktnummer:
TP5335MF-G-VAO
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
TP5335MF-G-VAO-DG
Beschreibung:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventar:
13004384
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TP5335MF-G-VAO Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
350 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
85mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
110 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q100
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-DFN (2x2)
Paket / Koffer
6-VDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
TP5335
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
150-TP5335MF-G-VAOTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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