Hersteller Produktnummer:
IPDD60R150G7XTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPDD60R150G7XTMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Inventar:
41 Stück Neu Original Auf Lager
12804700
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IPDD60R150G7XTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ G7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 260µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
902 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
95W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HDSOP-10-1
Paket / Koffer
10-PowerSOP Module
Basis-Produktnummer
IPDD60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,700
Andere Namen
2156-IPDD60R150G7XTMA1
IPDD60R150G7XTMA1TR
IPDD60R150G7XTMA1CT
IFEINFIPDD60R150G7XTMA1
IPDD60R150G7XTMA1DKR
SP001632838
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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