Hersteller Produktnummer:
IPA65R190CFDXKSA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPA65R190CFDXKSA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
143 Stück Neu Original Auf Lager
12804702
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPA65R190CFDXKSA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ CFD2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1850 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
34W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPA65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001977024
IPA65R190CFDXKSA2-DG
448-IPA65R190CFDXKSA2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF2807ZLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A TO262
IPW60R145CFD7XKSA1
MOSFET HIGH POWER
IRFH5301TRPBF
MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
