AOI9N50

Hersteller Produktnummer:

AOI9N50

Product Overview

Hersteller:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Teilenummer:

AOI9N50-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 9A TO251A

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 500 V 9A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-251A

Inventar:

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12849567

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AOI9N50 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

500 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

860mOhm @ 4.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

24 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1160 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

178W (Tc)

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

TO-251A

Paket / Koffer

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Basis-Produktnummer

AOI9

Datenblatt & Dokumente

Produkt-Zeichnungen

TO251A Pkg Drawing

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,500

Andere Namen

5202-AOI9N50

785-1455-5

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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