Hersteller Produktnummer:
IPD85P04P407ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD85P04P407ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 85A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventar:
29235 Stück Neu Original Auf Lager
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IPD85P04P407ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS®-P2
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6085 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
88W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-313
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD85P04
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
448-IPD85P04P407ATMA2TR
448-IPD85P04P407ATMA2DKR
SP002325774
448-IPD85P04P407ATMA2CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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