IPD70P04P409ATMA2
Hersteller Produktnummer:

IPD70P04P409ATMA2

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPD70P04P409ATMA2-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 73A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313

Inventar:

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IPD70P04P409ATMA2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS®-P2
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
73A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 120µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4810 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-313
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD70

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP002325768
448-IPD70P04P409ATMA2TR
448-IPD70P04P409ATMA2DKR
448-IPD70P04P409ATMA2CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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