Hersteller Produktnummer:
IPD70R900P7SAUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD70R900P7SAUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12655 Stück Neu Original Auf Lager
12823339
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IPD70R900P7SAUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ P7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 60µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
211 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD70
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD70R900P7SAUMA1DKR
IPD70R900P7SAUMA1CT
IPD70R900P7SAUMA1TR
SP001491638
2156-IPD70R900P7SAUMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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