IXFR36N60P
Hersteller Produktnummer:

IXFR36N60P

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXFR36N60P-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Inventar:

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IXFR36N60P Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUS247™
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFR36

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXFR36N60P
HTML-Datenblatt
IXFR36N60P-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FCH170N60
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
11513
TEILNUMMER
FCH170N60-DG
Einheitspreis
2.97
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Einheitspreis
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certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
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