Hersteller Produktnummer:
IPD65R1K0CEAUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD65R1K0CEAUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12801220
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IPD65R1K0CEAUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
328 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD65R1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
448-IPD65R1K0CEAUMA1TR
SP001421368
IPD65R1K0CEAUMA1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK6P65W,RQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
58
TEILNUMMER
TK6P65W,RQ-DG
Einheitspreis
0.47
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPD70R900P7SAUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
12655
TEILNUMMER
IPD70R900P7SAUMA1-DG
Einheitspreis
0.21
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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CONSUMER