Hersteller Produktnummer:
IPD65R380E6ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD65R380E6ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
4998 Stück Neu Original Auf Lager
12800636
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IPD65R380E6ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ E6
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 320µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
710 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD65R380
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
448-IPD65R380E6ATMA1CT
SP001117736
448-IPD65R380E6ATMA1DKR
IPD65R380E6ATMA1-DG
448-IPD65R380E6ATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD16N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2500
TEILNUMMER
STD16N60M2-DG
Einheitspreis
0.79
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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