Hersteller Produktnummer:
IPD15N06S2L64ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD15N06S2L64ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
4268 Stück Neu Original Auf Lager
12800647
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IPD15N06S2L64ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
64mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 14µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
354 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
47W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD15N06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
INFINFIPD15N06S2L64ATMA2
IPD15N06S2L64ATMA2TR
IPD15N06S2L64ATMA2CT
2156-IPD15N06S2L64ATMA2
SP001063644
IPD15N06S2L64ATMA2DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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