Hersteller Produktnummer:
IPD60R460CEATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD60R460CEATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 9.1A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12803394
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IPD60R460CEATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
460mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 280µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
620 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
2156-IPD60R460CEATMA1
IPD60R460CEATMA1CT
2156-IPD60R460CEATMA1-ITTR-DG
IFEINFIPD60R460CEATMA1
IPD60R460CEATMA1TR
SP001276024
IPD60R460CEATMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FCD7N60TM
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
5978
TEILNUMMER
FCD7N60TM-DG
Einheitspreis
0.91
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTY8N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
20
TEILNUMMER
IXTY8N65X2-DG
Einheitspreis
1.22
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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