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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FCD7N60TM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCD7N60TM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
5978 Stück Neu Original Auf Lager
12846817
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FCD7N60TM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperFET™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
920 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FCD7N60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FCD7N60TM
HTML-Datenblatt
FCD7N60TM-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FAIFSCFCD7N60TM
FCD7N60TMCT
FCD7N60TMDKR
FCD7N60TMTR
FCD7N60TM-DG
2156-FCD7N60TM-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD60R600P7SAUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
9704
TEILNUMMER
IPD60R600P7SAUMA1-DG
Einheitspreis
0.25
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