Hersteller Produktnummer:
IPD60R1K5CEAUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD60R1K5CEAUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
25223 Stück Neu Original Auf Lager
12800892
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IPD60R1K5CEAUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
200 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
49W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP001396902
IPD60R1K5CEAUMA1DKR
IPD60R1K5CEAUMA1TR
IPD60R1K5CEAUMA1CT
2156-IPD60R1K5CEAUMA1
ROCINFIPD60R1K5CEAUMA1
IPD60R1K5CEAUMA1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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