Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IPB120N06S403ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB120N06S403ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12800895
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPB120N06S403ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 120µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13150 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
167W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IPB120N06S403ATMA2
HTML-Datenblatt
IPB120N06S403ATMA2-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IPB120N06S403ATMA2DKR
2156-IPB120N06S403ATMA2
SP001028770
448-IPB120N06S403ATMA2CT
IPB120N06S403ATMA2-DG
448-IPB120N06S403ATMA2TR
INFINFIPB120N06S403ATMA2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDB86566-F085
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
750
TEILNUMMER
FDB86566-F085-DG
Einheitspreis
1.76
ERSATZART
Direct
Teilenummer
PSMN004-60B,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
8252
TEILNUMMER
PSMN004-60B,118-DG
Einheitspreis
1.22
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSO119N03S
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
IPD50N06S2L13ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
IPD100N04S4L02ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
IPB033N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3