Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IPD60R1K4C6
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD60R1K4C6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12800297
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPD60R1K4C6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ C6
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
200 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
28.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IPD60R1K4C6
HTML-Datenblatt
IPD60R1K4C6-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP000799134
IPD60R1K4C6BTMA1
IPD60R1K4C6CT
IPD60R1K4C6DKR
IPD60R1K4C6TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD6N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2496
TEILNUMMER
STD6N65M2-DG
Einheitspreis
0.48
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STD5N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2500
TEILNUMMER
STD5N60M2-DG
Einheitspreis
0.64
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STD7N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
14171
TEILNUMMER
STD7N60M2-DG
Einheitspreis
0.50
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STD6N62K3
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
196
TEILNUMMER
STD6N62K3-DG
Einheitspreis
0.76
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
AOD7N65
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
8528
TEILNUMMER
AOD7N65-DG
Einheitspreis
0.38
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPC60R180P7X7SA1
MOSFET N-CH DIE
IPB65R190CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3