Hersteller Produktnummer:
BSZ100N06LS3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSZ100N06LS3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
99543 Stück Neu Original Auf Lager
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BSZ100N06LS3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 23µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3500 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
BSZ100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSZ100N06LS3GATMA1DKR
BSZ100N06LS3GATMA1TR
SP000453672
BSZ100N06LS3GATMA1CT
BSZ100N06LS3GINTR-DG
BSZ100N06LS3GINCT-DG
BSZ100N06LS3 G
BSZ100N06LS3GINDKR-DG
BSZ100N06LS3G
BSZ100N06LS3GINTR
BSZ100N06LS3GINCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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