Hersteller Produktnummer:
IPD50R650CEAUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD50R650CEAUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Inventar:
1584 Stück Neu Original Auf Lager
12801144
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IPD50R650CEAUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
13V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
342 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-344
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD50R650
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
448-IPD50R650CEAUMA1DKR
IPD50R650CEAUMA1-DG
SP001396796
INFINFIPD50R650CEAUMA1
448-IPD50R650CEAUMA1CT
448-IPD50R650CEAUMA1TR
2156-IPD50R650CEAUMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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