Hersteller Produktnummer:
IPI80N06S3L-08
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI80N06S3L-08-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 105W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12801146
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IPI80N06S3L-08 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 55µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6475 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
105W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI80N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPI80N06S3L08X
IFEINFIPI80N06S3L-08
IPI80N06S3L-08-DG
IPI80N06S3L-08IN
SP000088131
IPI80N06S3L08XK
2156-IPI80N06S3L-08-IT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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