Hersteller Produktnummer:
IPD50R650CEATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD50R650CEATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12801850
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Menge
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IPD50R650CEATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
13V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
342 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD50R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD50R650CEATMA1DKR
IPD50R650CEATMA1CT
IPD50R650CEATMA1-DG
SP001117708
IPD50R650CEATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD50R650CEAUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1584
TEILNUMMER
IPD50R650CEAUMA1-DG
Einheitspreis
0.27
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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