Hersteller Produktnummer:
IPD35N12S3L24ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD35N12S3L24ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
9685 Stück Neu Original Auf Lager
12800948
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IPD35N12S3L24ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 39µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
71W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD35N12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD35N12S3L24ATMA1CT
2156-IPD35N12S3L24ATMA1
IPD35N12S3L24ATMA1DKR
SP001398656
IPD35N12S3L24ATMA1TR
INFINFIPD35N12S3L24ATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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