IPL60R095CFD7AUMA1
Hersteller Produktnummer:

IPL60R095CFD7AUMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPL60R095CFD7AUMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N CH
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4-1

Inventar:

2780 Stück Neu Original Auf Lager
12800949
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IPL60R095CFD7AUMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ CFD7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 570µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2103 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-VSON-4-1
Paket / Koffer
4-PowerTSFN
Basis-Produktnummer
IPL60R095

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
448-IPL60R095CFD7AUMA1DKR
SP001715622
IPL60R095CFD7AUMA1-DG
448-IPL60R095CFD7AUMA1CT
448-IPL60R095CFD7AUMA1TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IPB05N03LA

MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPB017N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

infineon-technologies

IPB038N12N3GATMA1

MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK

infineon-technologies

IPB60R125CPATMA1

MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3