Hersteller Produktnummer:
IPD350N06LGBUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD350N06LGBUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 29A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12802811
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IPD350N06LGBUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 28µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
800 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD350N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD350N06LGXT-DG
IPD350N06LGXT
SP000204197
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD350N06LGBTMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
4704
TEILNUMMER
IPD350N06LGBTMA1-DG
Einheitspreis
0.30
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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