Hersteller Produktnummer:
IPB010N06NATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB010N06NATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 45A (Ta), 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventar:
4992 Stück Neu Original Auf Lager
12802816
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPB010N06NATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
45A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 280µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
208 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15000 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
IPB010
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB010N06NDKR
SP000917410
IPB010N06N-DG
IPB010N06NATMA1TR
IPB010N06NTR
IPB010N06NDKR-DG
IPB010N06NCT-DG
IPB010N06NTR-DG
IPB010N06NATMA1CT
IPB010N06NATMA1DKR
IPB010N06N
IPB010N06NCT
2156-IPB010N06NATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPD90R1K2C3ATMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
IPI100N04S303MATMA2
MOSFET N-CH TO262-3
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB