IPA90R1K2C3XKSA2
Hersteller Produktnummer:

IPA90R1K2C3XKSA2

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPA90R1K2C3XKSA2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Inventar:

312 Stück Neu Original Auf Lager
12803759
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IPA90R1K2C3XKSA2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 310µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
710 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPA90R1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
500
Andere Namen
SP002548862
IPA90R1K2C3XKSA2-DG
448-IPA90R1K2C3XKSA2

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IRF7410PBF

MOSFET P-CH 12V 16A 8SO

infineon-technologies

IRF2807ZSTRRPBF

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRFR9120NTRR

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

infineon-technologies

IRFH7188TRPBF

MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN