Hersteller Produktnummer:
BSP123E6327T
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSP123E6327T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 370mA (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventar:
12800654
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Menge
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BSP123E6327T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
370mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 370mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
70 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.79W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BSP123XTINCT
BSP123XTINTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSP89,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
11918
TEILNUMMER
BSP89,115-DG
Einheitspreis
0.15
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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