Hersteller Produktnummer:
IPD06P005LSAUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD06P005LSAUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 6.5A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventar:
12803921
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IPD06P005LSAUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
420 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
28W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-313
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD06P
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP001863510
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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