Hersteller Produktnummer:
IPW60R017C7XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPW60R017C7XKSA1-DG
Beschreibung:
HIGH POWER_NEW
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 109A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
12803928
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IPW60R017C7XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
109A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 58.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 2.91mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9890 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
446W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3-41
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IPW60R017
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
IPW60R017C7XKSA1-DG
448-IPW60R017C7XKSA1
SP001313542
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPZ60R017C7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
257
TEILNUMMER
IPZ60R017C7XKSA1-DG
Einheitspreis
14.02
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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