Hersteller Produktnummer:
IPC50N04S55R8ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPC50N04S55R8ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Inventar:
4727 Stück Neu Original Auf Lager
12800815
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IPC50N04S55R8ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.4V @ 13µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1090 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-33
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
IPC50N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
IPC50N04S55R8ATMA1CT
2156-IPC50N04S55R8ATMA1
IPC50N04S55R8ATMA1TR
IPC50N04S55R8ATMA1DKR
SP001418130
INFINFIPC50N04S55R8ATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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