Hersteller Produktnummer:
IPB90R340C3ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB90R340C3ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
1904 Stück Neu Original Auf Lager
12800816
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IPB90R340C3ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
340mOhm @ 9.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2400 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB90R340
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB90R340C3ATMA2CT
SP002548864
IPB90R340C3ATMA2TR
IPB90R340C3ATMA2DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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