IPB80P04P4L08ATMA1
Hersteller Produktnummer:

IPB80P04P4L08ATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPB80P04P4L08ATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventar:

12800357
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IPB80P04P4L08ATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 120µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5430 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB80P

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB80P04P4L08ATMA1-DG
SP000840208
448-IPB80P04P4L08ATMA1TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SQM50P04-09L_GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1501
TEILNUMMER
SQM50P04-09L_GE3-DG
Einheitspreis
1.01
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPB80P04P4L08ATMA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1996
TEILNUMMER
IPB80P04P4L08ATMA2-DG
Einheitspreis
0.91
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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