Hersteller Produktnummer:
IPB80P04P4L08ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB80P04P4L08ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
1996 Stück Neu Original Auf Lager
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IPB80P04P4L08ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS®-P2
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 120µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5430 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB80P
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IPB80P04P4L08ATMA2CT
SP002325748
448-IPB80P04P4L08ATMA2TR
448-IPB80P04P4L08ATMA2DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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