Hersteller Produktnummer:
IPB80N08S406ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB80N08S406ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
12805311
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPB80N08S406ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB80N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
INFINFIPB80N08S406ATMA1
2156-IPB80N08S406ATMA1
SP000984296
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTA160N10T7
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTA160N10T7-DG
Einheitspreis
3.33
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPS65R1K0CEAKMA2
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
IRLR3714ZPBF
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
IPI80CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
