Hersteller Produktnummer:
IPB80N04S3H4ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB80N04S3H4ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
12800071
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IPB80N04S3H4ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 65µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB80N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB80N04S3-H4
2156-IPB80N04S3H4ATMA1-ITTR
IPB80N04S3H4ATMA1TR
SP000415564
INFINFIPB80N04S3H4ATMA1
IPB80N04S3-H4-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB80N04S404ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2000
TEILNUMMER
IPB80N04S404ATMA1-DG
Einheitspreis
0.93
ERSATZART
Direct
Teilenummer
STB120N4F6
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
944
TEILNUMMER
STB120N4F6-DG
Einheitspreis
0.93
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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