BSP316PL6327HTSA1
Hersteller Produktnummer:

BSP316PL6327HTSA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSP316PL6327HTSA1-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21

Inventar:

12800075
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BSP316PL6327HTSA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
680mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 680mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 170µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
146 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223-4-21
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BSP316PL6327INDKR
BSP316PL6327HTSA1TR
BSP316PL6327HTSA1DKR
BSP316PL6327
BSP316PL6327HTSA1CT
BSP316P L6327-DG
BSP316P L6327
BSP316PL6327XT
BSP316PL6327INCT
BSP316PL6327INTR-DG
BSP316PL6327INTR
BSP316PL6327INDKR-DG
BSP316PL6327INCT-DG
SP000089222

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
BSP316PH6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
32779
TEILNUMMER
BSP316PH6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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