STB21N65M5
Hersteller Produktnummer:

STB21N65M5

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STB21N65M5-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

1748 Stück Neu Original Auf Lager
12945558
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STB21N65M5 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ V
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1950 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB21

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
STx21N65M5

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
-497-10562-2
-497-10562-1
497-10562-6
497-10562-2
-497-10562-6
497-10562-1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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