Hersteller Produktnummer:
IPB60R120P7ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB60R120P7ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
2950 Stück Neu Original Auf Lager
12803530
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IPB60R120P7ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ P7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 410µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1544 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
95W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB60R120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB60R120P7ATMA1-DG
IPB60R120P7ATMA1TR
2156-IPB60R120P7ATMA1
SP001664922
IPB60R120P7ATMA1DKR
IPB60R120P7
IPB60R120P7ATMA1CT
IFEINFIPB60R120P7ATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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