Hersteller Produktnummer:
IPB320N20N3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB320N20N3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
9363 Stück Neu Original Auf Lager
12803543
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EINREICHEN
IPB320N20N3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2350 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB320
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP000691172
IPB320N20N3G
IPB320N20N3 GDKR
IPB320N20N3 GCT
IPB320N20N3GATMA1TR
IPB320N20N3GATMA1DKR
IPB320N20N3 G-DG
IPB320N20N3 G
IPB320N20N3 GDKR-DG
IPB320N20N3 GTR
IPB320N20N3GATMA1CT
IPB320N20N3 GTR-DG
IPB320N20N3 GCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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