Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRFHM8329TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFHM8329TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 57A (Tc) 2.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12803545
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRFHM8329TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Ta), 57A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1710 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.6W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PQFN (3x3)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRFHM8329TRPBF
HTML-Datenblatt
IRFHM8329TRPBF-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
2156-IRFHM8329TRPBF
IFEINFIRFHM8329TRPBF
IRFHM8329TRPBFDKR
SP001566808
IRFHM8329TRPBFCT
IRFHM8329TRPBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDMC7680
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
5000
TEILNUMMER
FDMC7680-DG
Einheitspreis
0.53
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E130BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1954
TEILNUMMER
RQ3E130BNTB-DG
Einheitspreis
0.15
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
NTTFS4C10NTWG
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
405
TEILNUMMER
NTTFS4C10NTWG-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
NTTFS4C10NTAG
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1330
TEILNUMMER
NTTFS4C10NTAG-DG
Einheitspreis
0.37
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
BSZ065N03LSATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
26246
TEILNUMMER
BSZ065N03LSATMA1-DG
Einheitspreis
0.28
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFU9120N
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
IPC020N10L3X1SA1
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
IPL65R460CFDAUMA1
MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK
IRF8010PBF
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB