Hersteller Produktnummer:
IPB180N04S401ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB180N04S401ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventar:
1268 Stück Neu Original Auf Lager
12805203
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IPB180N04S401ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 140µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
176 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
14000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
188W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7-3
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
IPB180
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB180N04S401ATMA1TR
IFEINFIPB180N04S401ATMA1
SP000705694
IPB180N04S4-01-DG
IPB180N04S401ATMA1CT
2156-IPB180N04S401ATMA1
IPB180N04S401ATMA1DKR
IPB180N04S4-01
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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