Hersteller Produktnummer:
IPU50R2K0CEAKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPU50R2K0CEAKMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 2.4A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12805205
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IPU50R2K0CEAKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
13V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 600mA, 13V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
124 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPU50R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
2156-IPU50R2K0CEAKMA1
SP001396816
ROCINFIPU50R2K0CEAKMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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