Hersteller Produktnummer:
IPB065N15N3GE8187ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB065N15N3GE8187ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventar:
12848732
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IPB065N15N3GE8187ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7300 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
IPB065N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB065N15N3 G E8187DKR
IPB065N15N3 G E8187TR-DG
SP000939336
IPB065N15N3 G E8187CT-DG
IPB065N15N3GE8187ATMA1DKR
IPB065N15N3GE8187ATMA1CT
IPB065N15N3 G E8187DKR-DG
IPB065N15N3 G E8187
IPB065N15N3GE8187ATMA1TR
IPB065N15N3GE8187
IPB065N15N3 G E8187-DG
IPB065N15N3 G E8187CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB065N15N3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3304
TEILNUMMER
IPB065N15N3GATMA1-DG
Einheitspreis
3.65
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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