Hersteller Produktnummer:
FDP12N60NZ
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP12N60NZ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12848741
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FDP12N60NZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UniFET-II™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1676 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
240W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
FDP12N60NZ-DG
2156-FDP12N60NZ-OS
FDP12N60NZOS
2832-FDP12N60NZ
FAIFSCFDP12N60NZ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDPF12N60NZ
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
174
TEILNUMMER
FDPF12N60NZ-DG
Einheitspreis
0.90
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STP9N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
20
TEILNUMMER
STP9N60M2-DG
Einheitspreis
0.54
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