IPB036N12N3GATMA1
Hersteller Produktnummer:

IPB036N12N3GATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPB036N12N3GATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

Inventar:

1060 Stück Neu Original Auf Lager
12800604
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IPB036N12N3GATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13800 pF @ 60 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
IPB036

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB036N12N3 GDKR-DG
SP000675204
IPB036N12N3 G
IPB036N12N3 GTR
IPB036N12N3 GTR-DG
IPB036N12N3 G-DG
IPB036N12N3 GCT
IPB036N12N3GATMA1DKR
IPB036N12N3 GCT-DG
IPB036N12N3GATMA1CT
IPB036N12N3GATMA1TR
IPB036N12N3 GDKR
IPB036N12N3G

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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