Hersteller Produktnummer:
IPB100N06S3-03
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB100N06S3-03-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
12800609
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IPB100N06S3-03 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 230µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
480 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
21620 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB100N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB100N06S303XT
SP000087982
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN1R7-60BS,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
5180
TEILNUMMER
PSMN1R7-60BS,118-DG
Einheitspreis
1.48
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SQM120N06-3M5L_GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
693
TEILNUMMER
SQM120N06-3M5L_GE3-DG
Einheitspreis
1.86
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
PSMN3R0-60BS,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
4780
TEILNUMMER
PSMN3R0-60BS,118-DG
Einheitspreis
1.38
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDB029N06
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
5208
TEILNUMMER
FDB029N06-DG
Einheitspreis
3.77
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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