Hersteller Produktnummer:
IRF6785MTR1PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6785MTR1PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventar:
12802837
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IRF6785MTR1PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MZ
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MZ
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IRF6785MTR1PBFTR
IRF6785MTR1PBFDKR
SP001574770
IRF6785MTR1PBFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF6785MTRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
9600
TEILNUMMER
IRF6785MTRPBF-DG
Einheitspreis
1.31
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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