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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IPP030N10N5AKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP030N10N5AKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12801612
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IPP030N10N5AKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 184µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10300 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP030
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IPP030N10N5AKSA1
HTML-Datenblatt
IPP030N10N5AKSA1-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
INFINFIPP030N10N5AKSA1
2156-IPP030N10N5AKSA1
SP001227032
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK100E10N1,S1X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
4370
TEILNUMMER
TK100E10N1,S1X-DG
Einheitspreis
1.66
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDP86363-F085
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
176
TEILNUMMER
FDP86363-F085-DG
Einheitspreis
2.14
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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