Hersteller Produktnummer:
IPA80R600P7XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPA80R600P7XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
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12846744
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IPA80R600P7XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ P7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 170µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
570 pF @ 500 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
28W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPA80R600
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
IPA80R600P7XKSA1-DG
SP001644604
448-IPA80R600P7XKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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