Hersteller Produktnummer:
FDMC86183
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMC86183-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 47A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Inventar:
13211 Stück Neu Original Auf Lager
12846750
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDMC86183 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1515 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
FDMC86
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMC86183-DG
FDMC86183OSDKR
FDMC86183OSCT
FDMC86183OSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDU8580
MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
FQD12N20LTM-F085
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
FQP3N90
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3
