Hersteller Produktnummer:
IMDQ75R140M1HXUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IMDQ75R140M1HXUMA1-DG
Beschreibung:
SILICON CARBIDE MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 750 V 17A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Inventar:
13269122
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IMDQ75R140M1HXUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
750 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
129mOhm @ 4.7A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
5.6V @ 1.7mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
351 pF @ 500 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HDSOP-22-1
Paket / Koffer
22-PowerBSOP Module
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
750
Andere Namen
448-IMDQ75R140M1HXUMA1CT
448-IMDQ75R140M1HXUMA1DKR
SP005588271
448-IMDQ75R140M1HXUMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
DIGI-Zertifizierung
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